Подпишитесь на нашу ежедневную рассылку с новыми материалами

Наука


Фото c сайта physorg.comИнженеры Университета Иллинойса в Урбане-Шампэйн (University of Illinois at Urbana-Champaign) сообщили о создании самого быстрого в мире транзистора. Им удалось создать устройство, работающее на частоте до 845 ГГц, что примерно на 300 ГГц быстрее, чем разработки других исследовательских групп.
 
Транзистор-рекордсмен изготовлен из фосфида индия (indium phosphide) и арсенида галлия (gallium arsenide) и использует псевдоморфный переход (pseudomorphic grading) между базой и коллектором. Сообщается, что такой переход увеличивает скорость электронов и, следовательно, сокращает время заряда и плотность тока.

Помимо использования псевдоморфной структуры, разработчикам пришлось пересмотреть процесс производства транзисторных компонентов в плане их уменьшения. Ведь чем быстрее проходит свой путь электрон, тем быстрее транзистор. К примеру, база имеет толщину всего 12,5 нм.

Со своей новой разработкой учёные вплотную приблизились к "Святому Граалю" электроники - терагерцному транзистору. При температуре окружающего воздуха 25 °С устройство способно функционировать с частотой 765 ГГц, а для достижения рекордной отметки требуется охлаждение до -55 °С.

О том, какое значение имеет данное достижение к компьютерной индустрии говорить не нужно, хоть мы, конечно же, и не увидим в ближайшие годы 1-ТГц процессоров. К слову, один из участников проекта, Валид Хафез (Walid Hafez), уже работает в Intel…


Нужные услуги в нужный момент
{banner_819}{banner_825}
-15%
-10%
-10%
-15%
-25%
-20%
-20%
-25%
-10%
-10%