Наноструктуры размером 10 нм позволят создавать карты памяти 100-гигабайтные

Производители флэш-памяти в скором будущем могут столкнуться с ограничениями, которые сделают невозможным дальнейшее совершенствование традиционного технологического процесса. Такой предел, как считается сейчас, может наступить при переходе на 32-нм или 22-нм нормы. Корейские же исследователи, согласно материалу, опубликованному Nature Nanotechnology, сообщают, что с применением углеродных нанотрубок им удалось создать 10-нм структуры.
 
В связи с этим стоит вспомнить, что уже в текущем году должны появиться первые коммерческие продукты 22-нм памяти NRAM производства Nantero, базирующейся на использовании нанотрубок и позволяющей добиться большей производительности при меньшем энергопотреблении, нежели у традиционной DRAM.

Описанная корейскими разработчиками технология предполагает импользование нового материала, названного "изолятор Мотта", чьей отличительной способностью является возможность быстрого переключения между состояниями проводника или диэлектрика.

Создатели технологии предполагают, что её внедрение позволит наладить производство флэш-памяти ёмкостью 100 Гб и более.