
В связи с этим стоит вспомнить, что уже в текущем году должны появиться первые коммерческие продукты 22-нм памяти NRAM производства Nantero, базирующейся на использовании нанотрубок и позволяющей добиться большей производительности при меньшем энергопотреблении, нежели у традиционной DRAM.
Описанная корейскими разработчиками технология предполагает импользование нового материала, названного "изолятор Мотта", чьей отличительной способностью является возможность быстрого переключения между состояниями проводника или диэлектрика.
Создатели технологии предполагают, что её внедрение позволит наладить производство флэш-памяти ёмкостью 100 Гб и более.