Подпишитесь на нашу ежедневную рассылку с новыми материалами

Наука


Фазовый переход | Фото с сайта microelectronics.beУже давно не секрет что флэш-память в будущем уйдет, уступив место более совершенной технологии, способной обеспечить лучшие показатели по производительности, вместимости и себестоимости. Свою альтернативу предложили, ученые Пенсильванского университета, объявившие о создании новой технологии долговременного сохранения данных, которая в 1000 раз быстрее флэш-технологии и может сохранять терабиты информации более 100000 лет.
 
Группа исследователей из Пенсильванского университета, возглавляемая доцентом Ритешом Агарвалом (Ritesh Agarwal), разработала вариант памяти с фазовым переходом, использующей сплав германия, способного принимать кристаллическое и аморфное состояние и таким образом сохранять информацию. Используемая для этого нанопроволока всего лишь 100 атомов в диаметре.

Первые тесты сконструированного в университетских стенах запоминающего устройства показали, что процессы записи, удаления и восстановления информации длятся лишь 50 наносекунд, что означает, что это устройство приблизительно на три порядка быстрее среднестатистической флэш-памяти и потребляет совсем немного энергии для декодирования данных (около 0,7 милливатт на бит). При этом обеспечивается длительное сохранение информации (по уверениям ученых более 100000 лет). Но помимо скорости и низкого энергопотребления у данной технологии есть еще одно существенное преимущество перед флэш – потенциальная емкость подобных устройств находится на "терабитном уровне". Правда, по словам господина Агарвала, до начала коммерческого использования этой технологии может пройти до десяти лет.


Нужные услуги в нужный момент
{banner_819}{banner_825}
-20%
-20%
-12%
-20%
-25%
-42%
-20%
-16%
-77%
-12%
-20%
-30%