Подпишитесь на нашу ежедневную рассылку с новыми материалами

Гаджеты


32 нм | Фото: IBMКомпания IBM начала рабочую неделю с объявления о разработке собственной технологии производства 32-нм микросхем, призванной сделать полупроводниковые решения следующего поколения не только быстрее, но и проще в производстве. Представленная технология, получившая название "high-k/gate-first", является вариантом хорошо известного способа борьбы с утечками тока путем изготовления затвора транзисторов не из кремния, а из металла с высокой диэлектрической постоянной (high-k).
 
В разработке новой технологии приняли участие партнеры IBM: AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon и Samsung. Согласно заявлению разработчиков технология "high-k/gate-first" предлагает производителям сфокусироваться в первую очередь на производстве наиболее сложных элементов схемы, что позволит им добиться "не только уменьшения размеров чипа по сравнению с 45-нм аналогами, но и заметно упростить процесс миграции производства на 32-нм технологические нормы".

Последнее утверждение, по-видимому, должно немного поднять настроение производителям, которое заметно ухудшилось после выхода недавнего аналитического отчета агентства Gartner. Напомним, что по оценкам специалистов агентства, разработка одной 32-нм микросхемы обойдется рядовому чипмейкеру примерно в 3 миллиарда долларов США – в два раз больше, чем одного 65-нм аналога. Стоимость же одной 32-нм фабрики может превысить 3,5 миллиарда долларов США.

Не желая оставаться голословными, IBM с партнерами произвели и продемонстрировали работающий прототип 32-нм микросхемы статической памяти SRAM с площадью ячеек порядка 0,15 квадратных микрон. Заявлено, что подобные микросхемы демонстрируют 30-процентный прирост производительности с одновременным 45-процентным уменьшением количества потребляемой энергии. Общая площадь чипа примерно в два раза меньше таковой у 45-нм аналога.

Кроме того, объявлено о разработке концепции использования металлических затворов с высокой диэлектрической постоянной для 32-нм микросхем, произведенных по технологии кремний-на-диэлектрике (silicon-on-insulator, SOI). Утверждается, что подобные гибриды смогут похвастать 30% увеличением производительности по сравнению со своими SOI-предшественниками.

Сообщается, что первые 32-микросхемы сойдут с производственных линий компании IBM и ее партнеров только во второй половине 2009 года. Старт массового производства намечен на 2010 год.


Нужные услуги в нужный момент
{banner_819}{banner_825}
-20%
-40%
-10%
-50%
-25%
-50%
-17%
-10%
-20%
-20%