Корпорация SanDisk сообщила о достижении нового рубежа в производстве флэш-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производится по стандартному 56-нм техпроцессу, при этом на выходе с одной пластины получается на 20% больше кристаллов, чем при производстве стандартной памяти NAND MLC с двумя битами на ячейку при том же техпроцессе. При одинаковых капиталовложениях технология x3 повышает эффективность производства и при этом снижает стоимость кристалла. Работы над созданием архитектуры флэш-памяти x3 продолжались в течение двух лет. В новой архитектуре используются самые современные патентованные достижения и инновации, что позволяет достичь того же высокого уровня производительности и надежности, что и в чипах SanDisk с двумя битами на ячейку.
Технология с использованием трех битов на ячейку памяти была разработана в сотрудничестве с компанией Toshiba.
По мнению SanDisk, разработка новой технологии с тремя битами на ячейку и скоростью записи, сопоставимой с существующей MLC-памятью, позволит компании быстрее реагировать на растущий рыночный спрос и производить флэш-накопители с большей плотностью. При этом компания сможет значительно снизить их стоимость по сравнению с MLC-памятью с двумя битами на ячейку, выпущенной по тому же техпроцессу.
