• Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345

СЕРВИСЫ
Каталог IT 
Разработка сайтов
Интернет-провайдеры

Отправить новость

Сообщите новость, интересную читателям 42.TUT.BY


  • Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345
реклама

UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM


Изображение с сайта micron.comТайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 кв.мкм.
 
Для производства 28-нм чипов UMC предлагает два подхода. Каждый из них оптимизирован для определенного круга приложений. Обычный техпроцесс (в котором затворы транзисторов, характеризующихся низким током утечки, формируются из кремния и оксида нитрида кремния) хорошо подходит для портативных приложений, таких, как микросхемы для сотовых телефонов. Второй вариант построен на использовании материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов, и больше подходит для выпуска высокоскоростных продуктов, таких, как графические и прикладные процессоры, микросхемы связи.

Новый техпроцесс UMC позволяет изготавливать микросхемы, примерно вдвое превосходящие по плотности 40-нм микросхемы, выпускаемые сейчас на 300-мм фабриках компании.


Отправить новость
Сообщите редакции новость, интересную читателям 42.TUT.BY