• Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345

СЕРВИСЫ
Каталог IT 
Разработка сайтов
Интернет-провайдеры

Отправить новость

Сообщите новость, интересную читателям 42.TUT.BY


  • Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345
реклама

Intel и Micron начали производство флеш-памяти по 34-нм технологии


Изображение с сайта micron.comКомпании Intel и Micron объявили о начале массового производства флеш-памяти NAND емкостью в 32 Гбит с применением 34-нанометровой технологии.
 
При изготовлении новых микросхем используется методика многоуровневых ячеек (MLC). По заявлениям Intel и Micron, технологический процесс, задействованный при выпуске чипов, на сегодняшний день является самым передовым в отрасли: компании смогли первыми наладить производство монолитных модулей NAND объемом в 32 Гбит, которые могут быть упакованы в стандартные 48-контактные корпусы TSOP (Thin Small-Outline Package).

Выпуск микросхем налажен на совместном предприятии IM Flash Technologies. Чипы производятся на 300-миллиметровых подложках и имеют площадь 172 мм2. Микросхемы, как отмечается, предназначены для использования в цифровых фотоаппаратах, карманных плеерах, видеокамерах, кроме того, на их основе могут быть созданы твердотельные диски с относительно низкой себестоимостью.

Предполагается, что до конца текущего года более 50 процентов мощностей предприятия IM Flash Technologies будет задействовано при выпуске продукции по 34-нанометровой технологии. А в начале 2009 года данный техпроцесс планируется начать использовать при производстве флеш-памяти SLC NAND (по методике одноуровневых ячеек).


Отправить новость
Сообщите редакции новость, интересную читателям 42.TUT.BY