NEC Electronics и Toshiba заявили о расширении соглашения с IBM в области совместной разработки перспективных технологий, включая 28-нм техпроцесс, применение сочетаний диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов (High-K/Metal Gate, HKMG), и технологии производства чипов с низким уровнем энергопотребления для потребительской электроники. Таким образом, NEC и Toshiba присоединились к технологическому альянсу, возглавляемому IBM и включающему компании Chartered Semiconductor, GLOBALFOUNDRIES, Infineon Technologies, Samsung Electronics, и STMicroelectronics.
Альянс разработчиков 28-нм техпроцессов основан на успешном опыте совместной разработки технологий производства чипов по HKMG 32-нм нормам. Участники организации отметили, что подобный способ освоения новых технологий позволяет уменьшить затраты на разработку для каждой из компаний, уменьшить риски и ускорить выход готовых продуктов на рынок. Утверждается, что проведенные внутренние тесты подтвердили преимущества материалов HKMG в эффективности энергопотребления, а производительность построенных с их применением устройств соответствует или превосходит уровень поставленных целей, выполнение которых необходимо для обеспечения конкурентоспособности.
