В Samsung Electronics говорят, что в самое ближайшее время компания сделает ставку на новый вид памяти для компьютеров и цифровых устройств. Новая память с изменением фазового заряда или PCM-память (Phase Change Memory) имеет множество преимуществ перед современной DRAM-памятью, но есть у нее и недостатки. В основе PCM-памяти находится материал, который по своему строению напоминает стекло. Данный материал способен изменять заряд атомов в молекулярной решетке. На основе заряда можно судить о наличии логического нуля или единицы на каждом конкретном атоме. Иными словами, если атом отвечает на тот или иной электрический сигнал, то это воспринимается как единица, если нет, то как ноль.
Кроме Samsung созданием PCM-памяти занимаются компании Intel и Infineon Technology (отдельно друг от друга), причем обе компании трудятся над технологией уже не один год. Сейчас основные усилия всех трех компаний направлены на уменьшение размеров чипов при повышении скорости их работы и плотности записи на них. В этих компаниях говорят, что рано или поздно PCM-память заменит собой все другие виды цифровой памяти, правда вначале она будет рассматриваться как замена сравнительно медленной NAND и NOR памяти, а лишь потом скоростной DRAM.
