• Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345

СЕРВИСЫ
Каталог IT 
Разработка сайтов
Интернет-провайдеры

Отправить новость

Сообщите новость, интересную читателям 42.TUT.BY


  • Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345
реклама

Intel и Micron Technology перешли на 25 нм техпроцесс производства памяти


Intel и Micron Technology перешли на 25 нм техпроцесс производства памяти Intel и Micron Technology объявили о запуске 25-нанометровой (25-нм) технологии производства NAND-памяти, которая позволяет снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств – смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей.
 
IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 ГБайт. Площадь решения составляет 167 кв.мм; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска. Обладая такими размерами, модуль способен вместить данные 10 компакт-дисков емкостью 700 мегабайт каждый.

Сконцентрировав инвестиции в разработку и исследования флэш-памяти, Intel и Micron получили возможность удваивать плотность NAND-чипов приблизительно каждые 18 месяцев. Этот процесс ведет к постоянному уменьшению размеров продукции, повышению ее емкости и снижению производственных затрат.

Сегодня, с переходом на 25-нм процесс, компании улучшают производственный цикл и укрепляются на рынке в качестве инноваторов, предлагая наименьший размер ячеек памяти в индустрии. В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное
производство планируется во II квартале 2010 г. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).

В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат.

Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 ГБайт можно содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32 Гбайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти – всего два.

«Мы уже работаем над тем, как уменьшить техпроцесс в дальнейшем. Новая производственная технология открывает значительные преимущества перед нашими клиентами – ведь теперь они получают решения с еще большей емкостью», – убежден вице-президент Micron по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley).


Отправить новость
Сообщите редакции новость, интересную читателям 42.TUT.BY