Корейская Samsung Electronics сегодня сообщила о начале производства первых в мире чипов памяти для мобильных телефонов, созданных в соответствии со стандартом PRAM. В компании говорят, что в будущем эта технология имеет все шансы стать новым стандартом для мобильных устройств самого широкого профиля. В Samsung говорят, что представленные сегодня 512-мегабайтные модули Phase-Change RAM-памяти значительно быстрее, чем используемые на сегодня NOR-чипы мобильных устройств.
В заявлении Samsung также говорится, что новые чипы имеют ускоренную производительность при записи и считывании мультимедийных данных. По прогнозу корейской компании, в этом году рынок PRAM-памяти составит всего 10 млн долларов, но уже к 2013 году он вырастет до 550 млн долларов.
Новые чипы обладают рекордной скоростью работы, как сообщают в Samsung, 512-мегабайтный чип может стирать до 64 000 логических слов за 80 миллисекунд, что в 10 раз быстрее, чем NOR-память. Записывается информация здесь сегментами, максимальный размер которого составляет 5 мегабайт, причем скорость записи у PRAM также в 8 раз быстрее, чем у NOR.
