• В Беларуси
  • Наука
  • Интернет и связь
  • Гаджеты
  • Игры
  • Оружие
  • Архив новостей
    ПНВТСРЧТПТСБВС
  1. Водители жаловались, что после поездки по М10 не могут отмыть машины. Вот что рассказали дорожники
  2. Получающих зарплату «в конвертах» планируют привлекать по «административке»
  3. Приговор по делу о «ноль промилле»: полгода колонии журналистке TUT.BY и два года с отсрочкой врачу
  4. «Готовились к захвату зданий в Гомеле». СК — об экстрадиции Тихановской и деле в отношении ее доверенных лиц
  5. Минское «Динамо» проиграло СКА в первом матче Кубка Гагарина
  6. Лукашенко рассказал о подробностях переговоров с Путиным
  7. Суд по делу «ноль промилле», новые задержания, планы по экстрадиции Тихановской. Что происходило 2 марта
  8. Суды над журналистами, маникюр прокурора, морозы и снег. Февраль-2021 — в фотографиях TUT.BY
  9. «Деревня умирает! Здесь живут 4 человека — и все». История Анатолия, который работает в автолавке
  10. Нет ни документов, ни авто. В правительстве объяснили, как снять с учета такую машину, чтобы не платить налог
  11. Чиновники обновили базу тунеядцев. С мая с иждивенцев будут брать по полным тарифам за отопление и газ
  12. Вот почему он стоит больше 100 тысяч евро. В Минск привезли первый Mercedes S-класса нового поколения
  13. С 2 марта снова дорожает автомобильное топливо
  14. «Пары начинались в 3 утра». Белорусы, которые учатся в Китае, не могут вернуться в вуз
  15. «Проверяли даже на близнецах». В метро запустили оплату проезда по лицу. Как это работает
  16. «Шахтер» впервые стал обладателем Суперкубка Беларуси, победный пенальти забил вратарь
  17. Был боссом Дудя, построил крутой бизнес в России, а сейчас помогает пострадавшим за позицию в Беларуси
  18. Прививать всех желающих от COVID-19 начнут в апреле. Вакцина будет от белорусского предприятия
  19. «Единственным справедливым решением был бы оправдательный приговор». Заявление TUT.BY по делу «ноль промилле»
  20. Виктор Лукашенко получил звание генерал-майора запаса. Предыдущее его известное звание — капитан
  21. Какой будет погода весной и стоит ли прятать теплые пуховики в марте
  22. Латушко ответил жене Макея: Глубина лицемерия и неспособность видеть правду и ложь просто зашкаливает
  23. Минчанка из списка Forbes отсидела 20 суток и рассказала о «консервативном патриархате» в Жодино
  24. Беларусбанк вводит лимиты по некоторым операциям с банковскими карточками
  25. В Витебске увольняют Владимира Мартова — реаниматолога, который первым в Беларуси честно говорил о ковиде
  26. «Радуюсь „мягкому“ приговору для невиновных людей». Известные белорусы — о приговоре врачу и журналисту
  27. Жуткое ДТП в Волковысском районе: погибли три человека, в том числе новорожденный ребенок
  28. Ватные палочки, серные пробки. Врач — о том, из-за чего еще слух может стать хуже
  29. Горбачев: Я не раз говорил, что Союз можно было сохранить
  30. Что известно о «собственной ракете для „Полонеза“», которую создали в Беларуси


Американская компания Micron Technology объявила о намерении приступить к коммерческому производству многослойных чипов памяти DRAM, которые будут работать в 10 раз быстрее по сравнению с современными технологиями хранения информации, говорится в официальном сообщении.

Речь, в частности, идет о полупроводниковых элементах под названием Micron Hybrid Memory Cube (HMC), состоящих из нескольких чипов, наложенных друг на друга и соединяющихся вертикальными перемычками.

Технология соединения отдельных чипов в куб заимствована у корпорации IBM. Она способна обеспечить пропускную способность 128 ГБ/с по сравнению с 12,8 ГБ/с, которую способны обеспечить наиболее производительные современные образцы компьютерной памяти (с интерфейсом DDR3).

Кроме того, память Micron HMC требует на 70% меньше электроэнергии для своей работы и занимает в 10 раз меньше пространства в расчете на единицу емкости по сравнению с обычной современной памятью, говорится в сообщении сторон.

Выпускать модули планируется на современном заводе IBM в г. Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, США, на основе 32-нм технологической нормы, с использованием транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком с повышенной диэлектрической проницаемостью (технология High-K Metal Gate). 

Предполагается, что на первом этапе устройства HMC найдут коммерческое применение в крупных вычислительных сетях и системах для высокопроизводительных вычислений, затем - в промышленной автоматизации, и уже после этого - на рынке потребительских решений.

"Переход к производству 3D-полупроводников - прорыв в индустрии", - заметил научный сотрудник IBM Сабу Лайер (Subu Iyer), добавив, что данная технология выйдет за пределы производства компьютерной памяти. По его словам, трехмерная память позволит существенно расширить функциональность устройств и продлить время автономной работы. Она может быть как самостоятельной деталью устройства, так и аналогичным образом наложена на центральный процессор (такой подход уже давно реализуется, например, в процессорах для iPhone и iPad).

Разработка трехмерных полупроводников ведется не первый год. При этом работа осуществляется в двух направлениях. Одни накладывают чипы друг на друга, как в случае Micron и IBM, другие - размещают в пространстве непосредственно электрическую разводку. В сентябре 2008 года ученые из Университета Рочестера, который также находится в штате Нью-Йорк, заявили, что 3D-процессоры могут быть в 10 раз меньше современных чипов и во столько же раз производительнее.

Термин "3D" также фигурирует в материалах, посвященных процессорам Intel нового поколения, начало производства которых запланировано на конец года. Однако их структура по-прежнему будет планарной, изменится лишь конструкция транзисторов.

Отметим, что Intel также участвует в разработке технологии наложения чипов друг на друга, вместе с IBM и Micron (а с последней у нее есть даже совместное предприятие по выпуску флэш-памяти). В сентябре на конференции Intel Developer Forum представители корпорации демонстрировали прототип трехмерной памяти.
Более подробную информацию о памяти, которую собирается выпускать Micron, стороны планируют представить на конференции IEEE International Electron Devices Meeting в грядущий понедельник, 5 декабря. В компании ожидают, что продажи памяти начнутся во второй половине 2013 года.
-15%
-12%
-35%
-40%
-30%
-30%
-20%
-50%
-50%
-25%
-20%
-33%
0072641