Подпишитесь на нашу ежедневную рассылку с новыми материалами

Наука


Корпорация SanDisk сегодня объявила о завершении разработки самого миниатюрного в мире модуля памяти NAND объёмом 128 гигабит. Новая микросхема способна хранить 128 миллиардов бит информации на одном кристалле площадью 177 мм2 - меньше американской монеты в один цент и лишь чуть больше четверти квадратного дюйма.

Применение флеш-памяти NAND в составе высокотехнологичных устройств, таких как смартфоны, планшеты и твердотельные накопители (SSD), позволяет добиваться высокой функциональности на фоне компактных размеров, благодаря чему производители получают возможность выводить на рынок более мощные компьютеры, устройства связи и бытовую технику, не увеличивая расходы на производство.

Новый модуль памяти SanDisk объёмом 128 Гб производится в соответствии с современным техпроцессом 19-нм. Нанометр это одна миллиардная часть метра, то есть на срезе человеческого волоса может поместиться до 3000 дорожек чипа, созданного по технологии 19-нм. В основе нового модуля также лежит технология "три бита на ячейку" корпорации SanDisk, позволяющая создавать продукты NAND, способные считывать и записывать три бита информации в каждой ячейке.

Техпроцесс 19-нм используется корпорацией SanDisk для производства модулей на базе девятого поколения технологии многоуровневых ячеек (MLC) и пятого поколения технологии X3. Сочетание производственных мощностей и технологического опыта позволяет SanDisk добиваться большей вместимости ячеек памяти, что открывает возможности для создания более компактных модулей флеш-памяти NAND.

Эти полупроводниковые модули памяти объёмом 128 Гб выделяются не только компактными размерами, но и выдающейся скоростью записи по технологии X3, достигающей 18 мегабайт (Мб) в секунду. Подобных результатов удалось добиться за счёт использования запатентованной архитектуры ABL. Новый модуль может служить примером использования технологии Х3 для создания широкого спектра продуктов, в основе которых лежит флеш-память MLC NAND. Техническая документация, детально описывающая новый продукт, будет официально представлена сегодня в рамках конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), проходящей в Сан-Франциско.

Модуль флеш-памяти NAND объёмом 128Гб появился на свет в результате совместных усилий сотрудников компаний SanDisk и Toshiba, которые работали над общим проектом в штаб-квартире SanDisk в Милпитасе. Руководил проектом Ян Ли (Yan Li), директор по разработке модулей памяти SanDisk.
Нужные услуги в нужный момент