Ученые смогли вырастить полупроводниковые нити на подложке из графена

Специалистам норвежской компании CrayoNano удалось сделать шаг, который может открыть путь к полупроводниковым приборам нового поколения. Ученые научились выращивать на подложке из графена нити из астата галлия (GaAs), являющегося полупроводником.

Внимание! У вас отключен JavaScript, ваш браузер не поддерживает HTML5, или установлена старая версия проигрывателя Adobe Flash Player.

Открыть/cкачать видео (29.14 МБ)

Запатентованный гибридный материал имеет выдающиеся оптоэлектронные свойства. По словам одного из основателей CrayoNano, выступающего также в роли главного технического директора, в новом материале объединилась низкая стоимость, оптическая прозрачность и механическая гибкость.

Фото: СrayoNano

Чтобы вырастить на графене полупроводниковые нити, исследователи использовали технологию молекулярно-лучевой эпитаксии. Особенностью этой технологии, основанной на эпитаксиальном росте в условиях сверхвысокого вакуума, является требование к подложке иметь высокочистую, гладкую на атомарном уровне поверхность. Графен удовлетворяет этому требованию, Причем его можно использован в качестве подложки не только для GaAs.

Фото: СrayoNano

В числе первых областей применения нового материала разработчики видят солнечные батареи и светодиоды. В перспективе он дает возможность интегрировать микромашины и электронные схемы с автономным питанием не только в привычные компьютеры и мобильные устройства, но и в одежду, аксессуары, предметы обихода.