• Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345

СЕРВИСЫ
Каталог IT 
Разработка сайтов
Интернет-провайдеры

Отправить новость

Сообщите новость, интересную читателям 42.TUT.BY


  • Архив новостей
  • Архив новостей
    ПН ВТ СР ЧТ ПТ СБ ВС
    2627282930311
    2345678
    9101112131415
    16171819202122
    23242526272829
    303112345
реклама

Тайваньские исследователи создали самый высокочастотный транзистор в мире


high electron mobility transistor
Транзистор с высокой подвижностью электронов. Иллюстрация phys.org
Группе специалистов, возглавляемой профессором тайваньского университета NCTU (National Chiao Tung University), удалось создать транзистор типа HEMT (high electron mobility transistor - транзистор с высокой подвижностью электронов), способный работать на более высокой частоте, чем все остальные транзисторы. Речь идет о частоте 710 ГГц.

По словам исследователей, новые транзисторы могут найти применение в системах формирования изображений и биомедицинском тестировании. Как утверждается, их использование будет способствовать уменьшению энергопотребления электронных устройств, поможет повысить разрешение изображений, получаемых при сканировании атмосферы и в космических исследованиях.
 
Рассчитывая внедрить свои разработки, ученые сотрудничают с компанией Panasonic и американскими компаниями, работающими в аэрокосмической отрасли.

Отправить новость
Сообщите редакции новость, интересную читателям 42.TUT.BY