• В Беларуси
  • Наука
  • Интернет и связь
  • Гаджеты
  • Игры
  • Оружие
  • Архив новостей
    ПНВТСРЧТПТСБВС


high electron mobility transistor
Транзистор с высокой подвижностью электронов. Иллюстрация phys.org
Группе специалистов, возглавляемой профессором тайваньского университета NCTU (National Chiao Tung University), удалось создать транзистор типа HEMT (high electron mobility transistor - транзистор с высокой подвижностью электронов), способный работать на более высокой частоте, чем все остальные транзисторы. Речь идет о частоте 710 ГГц.

По словам исследователей, новые транзисторы могут найти применение в системах формирования изображений и биомедицинском тестировании. Как утверждается, их использование будет способствовать уменьшению энергопотребления электронных устройств, поможет повысить разрешение изображений, получаемых при сканировании атмосферы и в космических исследованиях.
 
Рассчитывая внедрить свои разработки, ученые сотрудничают с компанией Panasonic и американскими компаниями, работающими в аэрокосмической отрасли.

-20%
-5%
-11%
-20%
-50%
-10%
-5%
-10%
-20%
-10%
-17%
-20%
0068422