• В Беларуси
  • Наука
  • Интернет и связь
  • Гаджеты
  • Игры
  • Оружие
  • Архив новостей
    ПНВТСРЧТПТСБВС
Подпишитесь на нашу ежедневную рассылку с новыми материалами

Гаджеты


high electron mobility transistor
Транзистор с высокой подвижностью электронов. Иллюстрация phys.org
Группе специалистов, возглавляемой профессором тайваньского университета NCTU (National Chiao Tung University), удалось создать транзистор типа HEMT (high electron mobility transistor - транзистор с высокой подвижностью электронов), способный работать на более высокой частоте, чем все остальные транзисторы. Речь идет о частоте 710 ГГц.

По словам исследователей, новые транзисторы могут найти применение в системах формирования изображений и биомедицинском тестировании. Как утверждается, их использование будет способствовать уменьшению энергопотребления электронных устройств, поможет повысить разрешение изображений, получаемых при сканировании атмосферы и в космических исследованиях.
 
Рассчитывая внедрить свои разработки, ученые сотрудничают с компанией Panasonic и американскими компаниями, работающими в аэрокосмической отрасли.

Нужные услуги в нужный момент
{banner_819}{banner_825}
-10%
-10%
-30%
-20%
-50%
-20%
-12%
-35%
-15%
20170802