SDXC: опубликована спецификация карт памяти объемом до 2 ТБSDXC: опубликована спецификация карт памяти объемом до 2 ТБАссоциация SD опубликовала полную спецификацию новых карт памяти SDXC (Secure Digital eXtended Capacity) с увеличенной емкостью, объемом от 64 ГБ до 2 ТБ и скоростью передачи данных до 300 МБ/с. Огромная емкость карт SDXC достигается, в том числе, благодаря использованию специализированной файловой системы Microsoft exFAT.
Toshiba стала на шаг ближе к «универсальной памяти»Toshiba стала на шаг ближе к «универсальной памяти»На международной конференции по полупроводниковым интегральным микросхемам (International Solid-State Circuits Conference, ISSCC) компания Toshiba поделилась очередными результатами своих разработок в области энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (FeRAM или FRAM).
Samsung начала производство 4Гб чипов памяти DDR3Samsung начала производство 4Гб чипов памяти DDR3Samsung Electronics сообщила о разработке первого 4-гигабитного чипа памяти формата DDR3, созданного по 50-нанометровому литографическому техпроцессу. Новый чип обладает вдвое более высокой плотностью компонентов в сравнении с предыдущими моделями.
NEC разработала память нового поколенияNEC разработала память нового поколенияКорпорация NEC разработала элемент памяти нового поколения, который называется долговременным магнитным триггером (non-volatile magnetic flip flop) и является основой однобитовой ячейки памяти, пишет The Register Hardware.
SanDisk приостанавливает производство флэш-памятиSanDisk приостанавливает производство флэш-памятиКорпорация SanDisk временно прекратит выпуск флэш-памяти на мощностях, принадлежащих совместному предприятию SanDisk и Toshiba. Производство на Fab 3 и Fab 4 будет остановлено 31 декабря. Оно возобновится 12 января будущего года, причем объем выпуска составит примерно 70% от производственных возможностей.
IBM, Toshiba и AMD показали 22-нанометровую памятьIBM, Toshiba и AMD показали 22-нанометровую памятьКомпании IBM, Toshiba и AMD на выставке International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско представили первую в мире ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нанометровой технологии, сообщает EE Times. Впервые она была анонсирована в конце августа текущего года.
Toshiba сократит выпуск модулей флеш-памятиToshiba сократит выпуск модулей флеш-памятиПонижение спроса на сотовые телефоны, цифровые фотоаппараты и другие товары потребительской электроники вынудило корпорацию Toshiba объявить о сокращении выпуска модулей флеш-памяти на 30%.
IBM представит 22-нанометровую память в декабреIBM представит 22-нанометровую память в декабреНа съезде производителей электронных устройств IEDM 2008, который откроется 15 декабря, альянс производителей чипов, возглавляемый IBM, представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нанометровой технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 квадратного микрометра. Ее объем не сообщается.
UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAMUMC первой выпустила 28-нм память типа SRAMТайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 кв.мкм.
FBM идет на смену DRAMFBM идет на смену DRAMDRAM долгое время остается основным типом оперативной памяти. Хотя эта технология имеет славную историю, насчитывающую не одно десятилетие, по мнению экспертов, ее применение близится к концу. Причина проста — невозможно уменьшать размер ячейки памяти бесконечно. Наступает время, когда необходимо внести в нее принципиальные изменения.
Технология X4 от SanDisk увеличит потенциал флэш-памятиТехнология X4 от SanDisk увеличит потенциал флэш-памятиТехнология Х4 может помешать приобретению компанией Samsung производителя флеш-памяти и других электронных компонентов SanDisk, сообщает The Wall Street Journal. Предложение о покупке Samsung сделал в августе, оценив SanDisk в 5,85 миллиарда долларов.
SanDisk будет распространять музыку на SD-картахSanDisk будет распространять музыку на SD-картахКорпорация SanDisk анонсировала новый физический формат для распространения музыкальных композиций, который составит конкуренцию онлайн-магазинам электронной музыки и компакт-дискам – slotMusic.
IBM достигла прорыва в технологии флэш-накопителейIBM достигла прорыва в технологии флэш-накопителейПо результатам совместных исследований, проведенных лабораторией IBM Hursley в Англии и исследовательским центром Almaden Research Center в Калифорнии, скорость передачи превысила 1 млн операций ввода-вывода в секунду (IOPS), превзойдя самый быстрый в мире накопитель компании Texas Memory Systems.
SanDisk представила карту памяти с однократной записьюSanDisk представила карту памяти с однократной записьюSanDisk выпустила новый тип карты памяти формата SD, сообщается в пресс-релизе компании. Называется карта WORM (Write Once Read Many), записать информацию на нее можно лишь один раз. После записи информации на карту SD WORM считать ее можно в любом устройстве с поддержкой карт формата SD. Однако изменить, удалить или дополнить записанные на карту данные невозможно.
Samsung Electronics инвестирует в производство памяти 1 млрд долларов в течение годаSamsung Electronics инвестирует в производство памяти 1 млрд долларов в течение годаКак известно, ситуация на рынке памяти сложилась не слишком благоприятная. В условиях перепроизводства, ценового давления и общего замедления мировой экономики на плаву могут остаться лишь самые крупные производители, обладающие солидным запасом прочности. Чтобы пережить своих конкурентов, им приходится инвестировать в не самое прибыльное производство огромные суммы.
SanDisk и Toshiba вместе сделают трехмерную памятьSanDisk и Toshiba вместе сделают трехмерную памятьКомпании SanDisk и Toshiba заключили соглашение о совместной разработке перезаписываемой 3D-памяти, сообщает PC World. Большую часть технологической и патентной базы проекта будут составлять разработки SanDisk. Основная финансовая нагрузка ляжет на плечи Toshiba.
Память MRAM готова к массовому использованию в ПКПамять MRAM готова к массовому использованию в ПКПо сведениям источника, магниторезистивная память (MRAM) готова совершить рывок и перейти от специализированных применений к массовому использованию в ПК. Если это окажется правдой, DRAM очень быстро может уйти в историю — так велики преимущества нового типа памяти.
Intel и Micron Technology представили образец 34 нм NAND-памятиIntel и Micron Technology представили образец 34 нм NAND-памятиКомпании Intel и Micron Technology объявили о том, что им впервые в отрасли удалось преодолеть рубеж в 40 нанометров при производстве микрочипов флэш-памяти NAND. Специалисты Intel и Micron создали образец чипа NAND, изготовленный по 34-нанометровой технологии.
Intel и ST Microelectronics создают крупнейшую компанию по производству флеш-памятиIntel и ST Microelectronics создают крупнейшую компанию по производству флеш-памятиКопорация Intel и крупнейший в Европе производитель микрочипов швейцарская компания ST Microelectronics создают совместную компанию по выпуску флеш-памяти.
Sandisk представил новую технологию NAND флэш-памятиSandisk представил новую технологию NAND флэш-памятиКорпорация SanDisk сообщила о достижении нового рубежа в производстве флэш-памяти и поделилась планами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производится по стандартному 56-нм техпроцессу, при этом на выходе с одной пластины получается на 20% больше кристаллов, чем при производстве стандартной памяти NAND MLC с двумя битами на ячейку при том же техпроцессе.