Toshiba инвестирует 6,6 миллиардов долларов в новую фабрику по выпуску NANDToshiba инвестирует 6,6 миллиардов долларов в новую фабрику по выпуску NANDЯпонский электронный конгломерат Toshiba намерен потратить более 6,6 млрд. долл. на постройку фабрики по производству флэш-памяти типа NAND в северной части страны. Такую информацию распространил источник со ссылкой на издание Asahi Shimbun. Таким образом, можно констатировать, что в споре о местоположении новой фабрики верх одержали сторонники размещения производства в Японии.
Intel и STMicroelectronics представили первые прототипы «фазовой памяти»Intel и STMicroelectronics представили первые прототипы «фазовой памяти»Специалистам Intel и STMicroelectronics удалось достичь важной вехи в создании памяти нового типа, построенной на изменении фазового состояния вещества (Phase Change Memory, PCM). Компании объявили о начале поставок прототипов новой памяти. Прототипы представляют собой кремниевые чипы, предназначенные для ознакомления с новой технологией потенциальных потребителей.
Micron создала самую быструю флеш-память в миреMicron создала самую быструю флеш-память в миреКомпания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи – до 100 мегабайт в секунду.
MRAM готова с серийному производствуMRAM готова с серийному производствуСпециализирующаяся на разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) компания Micromem Technologies сообщает об успешном выпуске этой продукции в условиях серийного производства. Фактически, это итог интенсивной трехлетней научно-исследовательской работы, подтвердивший работоспособность выбранной концепции.
Toshiba разрабатывает 10 нм флэш-памятьToshiba разрабатывает 10 нм флэш-памятьЯпонская корпорация Toshiba сообщила о разработке новой технологии, которая в будущем позволит создавать чипы памяти намного большей емкости на базе нового 10-нм техпроцесса. Помимо уменьшения базовых элементов памяти, инженеры также потрудились над их материалом. Новая память может работать без сбоев на протяжении более 10 лет.
Samsung представила первую 30-нанометровую флэш-памятьSamsung представила первую 30-нанометровую флэш-памятьКомпания Samsung представила первый 30-нанометровый модуль флэш-памяти с емкостью ячеек в восемь гигабайт (64 гигабита), сообщает TG Daily.
Память с фазовым переходом в тысячу раз быстрее флэш-памятиПамять с фазовым переходом в тысячу раз быстрее флэш-памятиУже давно не секрет что флэш-память в будущем уйдет, уступив место более совершенной технологии, способной обеспечить лучшие показатели по производительности, вместимости и себестоимости. Свою альтернативу предложили, ученые Пенсильванского университета, объявившие о создании новой технологии долговременного сохранения данных, которая в 1000 раз быстрее флэш-технологии и может сохранять терабиты информации более 100000 лет.
Семь крупных компаний объявили о поддержке нового единого стандарта карт памятиСемь крупных компаний объявили о поддержке нового единого стандарта карт памятиНовый формат, получивший название Universal Flash Storage (UFS), будет стандартизован организацией JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council – Объединенный совет разработчиков электронных компонентов). Ожидается, что карты памяти нового типа будут обеспечивать значительно более высокую скорость доступа к файлам большого размера по сравнению с современными накопителями.
IBM и TDK создают совместный проект по разработке MRAMIBM и TDK создают совместный проект по разработке MRAMВ условиях, когда некоторые производители уже серийно выпускают магниторезистивную память с произвольным доступом (Magnetic Random Access Memory, MRAM) плотностью 4 Мбит, компании IBM и TDK решили совместно взяться за развитие этой технологии.
Samsung выпустила самый ёмкий чип флэш-памятиSamsung выпустила самый ёмкий чип флэш-памятиКорейская компания Samsung объявила о выпуске чипа флэш-памяти moviNAND емкостью в 8 гигабайт. По заявлению разработчиков, новинка станет самым вместительным модулем встраиваемой флэш-памяти на рынке, сообщается на сайте Akihabara News.
NEC и Samsung готовят чипы флэш-памяти емкостью в 1 ТбитNEC и Samsung готовят чипы флэш-памяти емкостью в 1 ТбитКомпания NEC Electronics совместно с Elpida Memory и Oki Electric разрабатывает чипы флэш-памяти нового типа. Эти устройства включают несколько обычных (плоских) чипов памяти (каждый толщиной примерно 50 мкм) и микросхему контроллера, размещённых в виде вертикального стека и связанных с помощью 3D-соединений. На данном этапе разработчики создали "колоду" из восьми чипов памяти и контроллера.